气相输运技术生长的 MoS2 原子层中的介观缺陷
材料科学
2014-07-17 v1
摘要
通过机械剥离成功分离出原子级薄层的小片，引发了对石墨烯及其他二维材料的巨大研究兴趣。然而，对于器件应用而言，必须可控地合成具有低密度电子活性缺陷的大面积高结晶度单层膜。在此，我们利用微波阻抗显微镜，对通过气相输运技术生长的单层二硫化钼 (MoS2) 中的树枝状吸附层和晶界进行了电学成像。在我们的薄膜中，微米级的沉淀物在传统高度和光学测量中表现为第二层 MoS2，但其电导率比单层高出两个数量级。另一方面，锯齿形晶界显示出比晶粒更高的电阻率，这与先前的研究一致。我们以快速且无损的方式绘制局部电学性质的能力，对于优化大规模 MoS2 原子层的生长过程极为有利。
引用
@article{arxiv.1407.4188,
title = {Mesoscale Imperfections in MoS2 Atomic Layers Grown by Vapor Transport Technique},
author = {Yingnan Liu and Rudresh Ghosh and Di Wu and Ariel Ismach and Rodney Ruoff and Keji Lai},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.4188},
year = {2014}
}
备注
19 pages, 9 figures, accepted by Nano Letters