具有石墨烯接触的高灵敏度 MoS2 光电探测器
介观与纳米尺度物理
2018-03-15 v3
摘要
诸如石墨烯与过渡金属硫族化物（TMDs）之类的二维材料是制造适用于柔性基底的超薄电子器件的理想候选。尽管基于 TMDs 的光电器件已展现出卓越性能，可扩展性仍是一个重大问题。大多数器件采用不适合量产的技术制造，例如单层薄片的机械剥离与电子束光刻图形化。本文中我们展示，通过化学气相沉积生长并经光刻图形化的大面积 MoS2 可制得高灵敏度光电探测器，其在环境条件下创纪录的散粒噪声极限探测率可达 8.7 X 10^14 Jones，且在用保护层密封时更高。这些探测率数值高于已报道的基于剥离 MoS2 的光电探测器的最高值。我们研究了具有金电极与石墨烯电极的 MoS2 器件。具有石墨烯电极的器件具有可调的能带对齐，并且对可扩展超薄柔性光电子学尤其具有吸引力。
引用
@article{arxiv.1709.04505,
title = {Highly Sensitive MoS2 Photodetectors with Graphene Contacts},
author = {Peize Han and Luke St. Marie and Qing X. Wang and Nicholas Quirk and Abdel El Fatimy and Masahiro Ishigami and Paola Barbara},
journal= {arXiv preprint arXiv:1709.04505},
year = {2018}
}