超薄石墨烯-二硫化钼二元杂化结构中的近乎无弛豫光电存储器
材料科学
2013-09-06 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
石墨烯与其他二维晶体的超薄平面异质结构近来引起了广泛关注。氮化硼上石墨烯组装体中极高的载流子迁移率已得到充分证实，但人们预期适当设计的杂化结构还能执行其他任务。由于二硫化钼（MoS）中存在光学带隙，石墨烯与二硫化钼的异质结构预计对光照敏感。尽管在石墨烯和MoS的器件架构方面取得了显著进展，但二元石墨烯-MoS杂化结构迄今尚未实现，这类结构有前景的光电性质仍难以捉摸。我们在此通过实验证明，石墨烯-on-MoS二元异质结构在白光照射下表现出意想不到且显著的光致持续电导。该光电导不仅可以通过光强和背栅电压独立调节，而且在适当的光和栅压脉冲组合下，该器件可作为可重写的光电开关或存储器。在低到中等光激发强度下，持续（或“开”）态在实验时间尺度内几乎没有弛豫或衰减，表明近乎完美的电荷保持。一个微观模型将这种持续性与MoS中载流子的强局域化联系起来。这些效应在室温下以及使用化学气相沉积石墨烯时也可观察到，因此自然可扩展到大面积应用。
引用
@article{arxiv.1309.1455,
title = {A nearly relaxation-free opto-electronic memory from ultra-thin graphene-MoS$_2$ binary hybrids},
author = {Kallol Roy and Medini Padmanabhan and Srijit Goswami and T. Phanindra Sai and Gopalakrishnan Ramalingam and Srinivasan Raghavan and Arindam Ghosh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1309.1455},
year = {2013}
}
备注
6 pages, 4 figures