基于 ReS2/h-BN/石墨烯异质结构的多功能器件：隧穿二极管、FET、逻辑门与存储器
介观与纳米尺度物理
2020-12-08 v1 材料科学
应用物理
摘要
我们研究了一种由少层直接带隙 ReS2、薄 h-BN 层和单层石墨烯组成的二维 (2D) 异质结构，用于各种电子器件应用。具有二维 (2D) 范德瓦耳斯 (vdW) 异质结构的金属-绝缘体-半导体 (MIS) 型器件最近被研究作为在模拟和数字电子中实现各种多功能器件应用的重要组件。ReS2/h-BN/石墨烯的隧穿二极管表现出光可调谐的整流行为，具有低理想因子和几乎与温度无关的电学特性。该器件在逻辑门应用中表现得像传统的 MIS 型隧穿二极管。此外，类似的垂直异质结构被证明可用作具有低阈值电压的场效应晶体管和具有大存储栅的存储器器件，用于未来的多功能器件应用。
引用
@article{arxiv.2012.03219,
title = {ReS2/h-BN/Graphene Heterostructure Based Multifunctional Devices: Tunnelling Diodes, FETs, Logic Gates & Memory},
author = {Bablu Mukherjee and Ryoma Hayakawa and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Shu Nakaharai and Yutaka Wakayama},
journal= {arXiv preprint arXiv:2012.03219},
year = {2020}
}
备注
29 pages