过渡金属二硫化物异质结上石墨烯的本征无序
材料科学
2015-05-05 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
石墨烯等二维材料的电子性质对其环境极其敏感，尤其是底层衬底。研究表明，与无定形绝缘衬底相比，平面范德华键合衬底（如六方氮化硼 hBN）能够通过减少形貌变化和电荷涨落，显著提高石墨烯器件的电学性能。半导体过渡金属二硫化物（TMDs）是另一类范德华键合材料，最近作为 hBN 的替代衬底用于石墨烯以及新型石墨烯基器件异质结中的组件而受到关注。此外，其半导体性质允许通过栅极电压动态控制与石墨烯的相互作用强度。通过局部扫描探针测量，我们发现 TMDs 固有的晶体缺陷会诱导石墨烯中的散射，导致异质结质量显著下降，特别是与类似的石墨烯/hBN 器件相比。
引用
@article{arxiv.1411.6597,
title = {Intrinsic disorder in graphene on transition metal dichalcogenide heterostructures},
author = {Matthew Yankowitz and Stefano Larentis and Kyounghwan Kim and Jiamin Xue and Devin McKenzie and Shengqiang Huang and Marina Paggen and Mazhar N. Ali and Robert J. Cava and Emanuel Tutuc and Brian J. LeRoy},
journal= {arXiv preprint arXiv:1411.6597},
year = {2015}
}
备注
18 pages, 7 figures