石墨烯-WSe$_2$ 异质结中极高的室温载流子迁移率
介观与纳米尺度物理
2019-09-23 v1
摘要
高载流子迁移率对于高频电子学、集成光电子学以及传感器和自旋电子学应用起着基础性作用，这些应用中器件性能直接与载流子迁移率的大小相关。由石墨烯和六方氮化硼形成的范德瓦尔斯异质结在室温迁移率方面已超越所有已知材料。在此，我们展示当今最佳石墨烯/hBN 器件的迁移率可以被由二硒化钨、石墨烯和 hBN 形成的异质结以超过三倍的幅度超越，后者在室温下的迁移率可高达 350,000 cm/(Vs)，电阻率低至 15 Ohm。这些器件的电阻率表现出比石墨烯在任何其他已知衬底上弱得多的温度依赖性。这一行为的起源指向石墨烯中声学声子带的改变，并对我们对范德瓦尔斯异质结中电子-声子散射的理解提出了疑问。
引用
@article{arxiv.1909.09523,
title = {Extraordinary high room-temperature carrier mobility in graphene-WSe$_2$ heterostructures},
author = {L. Banszerus and T. Sohier and A. Epping and F. Winkler and F. Libisch and F. Haupt and K. Watanabe and T. Taniguchi and K. Müller-Caspary and N. Marzari and F. Mauri and B. Beschoten and C. Stampfer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1909.09523},
year = {2019}
}
备注
15 pages, 3 figures