基于 WSe2/SnSe2 垂直范德瓦耳斯异质结的多功能电子器件
介观与纳米尺度物理
2019-04-04 v1
摘要
由多种二维材料堆叠形成的范德瓦耳斯异质结在电子应用中具有前景。然而，大多数已报道的基于范德瓦耳斯异质结的电子器件性能远不及现有技术。在此，我们报道了基于垂直堆叠的二硒化钨和二硒化锡的高性能异质结器件。由于材料独特的能带排列和原子级厚度，载流子输运和势垒均可被外加电场有效调制。结果，该异质结器件展现出优异特性：高电流开关比约为 3×10^8，在五个数量级电流变化中由于带间隧穿产生的平均亚阈值斜率为 126 mV/decade，超高整流比约为 3×10^8，以及超过 10^4 A/cm^2 的电流密度。此外，成功演示了基于多数载流子输运主导二极管的的小信号半波整流电路，显示出在未来高速电子应用中的巨大潜力。
引用
@article{arxiv.1904.01741,
title = {Versatile Electronic Devices Based on WSe2/SnSe2 Vertical van der Waals Heterostructure},
author = {Wei Li and Xiang Xiao and Huilong Xu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1904.01741},
year = {2019}
}
备注
4 figures