MoS2/WSe2 异质结构晶体管中局域电导的可视化
应用物理
2019-03-27 v1 介观与纳米尺度物理
材料科学
摘要
范德瓦耳斯（vdW）材料的垂直堆叠为二维（2D）系统的研究引入了新的自由度。层间耦合强烈影响异质结构的能带结构，从而产生可用于电子和光电子应用的新型性质。基于微波显微镜研究，我们报道了门控二硫化钼（MoS2）/二硒化钨（WSe2）异质结构器件的定量电学成像，其在转移特性中表现出引人入胜的反双极性效应。有趣的是，在源漏电流显著的区域，n 型 MoS2 中的电子与 p 型 WSe2 段中的空穴近乎平衡，而异质结构区域则缺乏可动电荷。该构型类似于 p-i-n 二极管，其中注入的载流子主导复合电流。局域电导的空间演化可归因于沿 MoS2-异质结构-WSe2 线路的横向能带弯曲和耗尽区的形成。我们的工作生动地展示了新型输运行为的微观起源，这对充满活力的 vdW 异质结研究领域具有重要意义。
引用
@article{arxiv.1902.08147,
title = {Visualization of Local Conductance in MoS2/WSe2 Heterostructure Transistors},
author = {Di Wu and Wei Li and Amritesh Rai and Xiaoyu Wu and Hema C. P. Movva and Maruthi N. Yogeesh and Zhaodong Chu and Sanjay K. Banerjee and Deji Akinwande and Keji Lai},
journal= {arXiv preprint arXiv:1902.08147},
year = {2019}
}
备注
18 pages, 4 figures, Just accepted by Nano Letters