二维 WS2/石墨烯范德瓦耳斯异质结的电子能带结构
材料科学
2018-06-14 v1
摘要
将单层二维半导体过渡金属硫族化合物（TMDs）与石墨烯层组合于范德瓦耳斯异质结中，提供了一种通过此类异质结调控电子性质的引人入胜的途径。在此，我们利用微拉曼光谱、角分辨光电子能谱（ARPES）测量与密度泛函理论（DFT）计算，报道了转移至外延石墨烯上的单层 WS2 的电子与结构性质。结果显示良好的电子性质，以及由单层 WS2 价带在 K 点处的强分裂所产生的清晰能带，最大分裂为 0.44 eV。通过将我们的 DFT 结果与局域和杂化泛函相比较，我们发现实验异质结的顶部价带接近于悬浮单层 WS2 的计算结果。我们的结果为未来 WS2 电子性质研究及其在谷电子器件中的应用提供了重要参考。
引用
@article{arxiv.1806.04851,
title = {Electronic band structure of Two-Dimensional WS2/Graphene van der Waals Heterostructures},
author = {Hugo Henck and Zeineb Ben Aziza and Debora Pierucci and Feriel Laourine and Francesco Reale and Pawel Palczynski and Julien Chaste and Mathieu G. Silly and François Bertran and Patrick Le Fevre and Emmanuel Lhuillier and Taro Wakamura and Cecilia Mattevi and Julien E. Rault and Matteo Calandra and Abdelkarim Ouerghi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1806.04851},
year = {2018}
}
备注
11 pages, 3 figures + SI 7 pages 8 figures