单层 MoS2/WSe2 异质结能带排列的测定
材料科学
2015-07-20 v4 介观与纳米尺度物理
摘要
过渡金属硫族化合物 (TMDs) 作为二维电子材料的兴起，激发了基于 TMD 异质结构的新型电子和光子器件的提案。本文报道了利用微束 X 射线光电子能谱 ({\mu}-XPS) 和扫描隧道显微镜/谱 (STM/S) 测定 TMD 异质结构中的能带偏移。我们确定了 和 之间存在 II 型能带排列，其价带偏移 (VBO) 值为 0.83 eV，导带偏移 (CBO) 为 0.76 eV。第一性原理计算表明，在这种具有不同硫族原子的异质结构中，由于层间耦合较弱， 和 的电子结构在各自层中得到了很好的保留。此外，从密度泛函理论 (DFT) 获得的 VBO 为 0.94 eV，与实验测定结果一致。
引用
@article{arxiv.1406.5137,
title = {Determination of band alignment in the single layer MoS2/WSe2 heterojunction},
author = {Ming-Hui Chiu and Chendong Zhang and Hung Wei Shiu and Chih-Piao Chuu and Chang-Hsiao Chen and Chih-Yuan S. Chang and Chia-Hao Chen and Mei-Yin Chou and Chih-Kang Shih and Lain-Jong Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:1406.5137},
year = {2015}
}
备注
^ These authors contributed equally. *Corresponding author E-mail: [email protected], [email protected] 20 pages, 4 figures in main text