二维过渡金属二硫族化合物的能带排列：在隧穿场效应晶体管中的应用
材料科学
2013-08-06 v1
摘要
基于二维材料垂直堆叠的隧穿场效应晶体管（TFETs）在低功耗逻辑器件方面备受关注。具有可观带隙的单层过渡金属二硫族化合物（TMDs）在构建用于 TFET 应用的 p-n 结（耦合对）方面显示出前景。能带排列信息对于实现具有优异电子隧穿效率的反转结至关重要。通过密度泛函理论计算，建议由单层 TMDs 组成的有前景的耦合对为：以 VIB-MeX2 (Me= W, Mo; X= Te, Se) 作为 n 型源极，以 IVB-MeX2 (Me = Zr, Hf; X= S, Se) 作为 p 型漏极。
引用
@article{arxiv.1308.0767,
title = {Band alignment of two-dimensional transition metal dichalcogenides: application in tunnel field effect transistors},
author = {Cheng Gong and Hengji Zhang and Weihua Wang and Luigi Colombo and Robert M. Wallace and Kyeongjae Cho},
journal= {arXiv preprint arXiv:1308.0767},
year = {2013}
}
备注
4 pages, 3 figures