基于面内过渡金属硫族化物异质结的高性能隧穿场效应晶体管
介观与纳米尺度物理
2018-11-14 v1 计算物理
摘要
通过自洽非平衡格林函数模拟和原子级紧束缚哈密顿量，研究了基于单层过渡金属硫族化物的面内异质结隧穿场效应晶体管。我们首先比较了若干异质结，然后聚焦于最有前景的 WTe2-MoS2 和 MoTe2-MoS2。研究了这些器件随沟道长度的可扩展性，并分析了背栅电压对器件性能的影响。我们的结果表明，通过微调设计参数，这些器件可在 0.3V 电源电压下产生极低亚阈值摆幅（低于 5mV/decade）以及高于 1e8 的 Ion/Ioff 比，使其成为超低功耗应用的理想选择。
引用
@article{arxiv.1807.07128,
title = {High performance Tunnel Field Effect Transistors based on in-plane transition metal dichalcogenide heterojunctions},
author = {Jean Choukroun and Marco Pala and Shiang Fang and Efthimios Kaxiras and Philippe Dollfus},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.07128},
year = {2018}
}
备注
10 pages