基于过渡金属硫族化物横向异质结的二维场效应晶体管：耗散量子输运建模
介观与纳米尺度物理
2024-12-31 v2
摘要
降低基于二维材料的场效应晶体管的接触电阻是实现此类晶体管在先进半导体制造工艺中集成所需的关键改进之一。合理设计的横向异质结提供了独立调整接触与沟道特性以优化接触电阻的机会。受近期二维 型肖特基势垒实验演示的启发，本文利用量子输运模拟估算了沟道由 NbS/MoS/NbS（半金属-半导体-半金属）横向异质结构成的 型晶体管性能。我们发现栅极与沟道的对准是一个关键设计参数，强烈影响栅极调制 MoS/NbS 界面处肖特基势垒的能力。该效应也被发现显著影响器件的缩放行为。
引用
@article{arxiv.2311.18031,
title = {Two-dimensional field-effect transistors based on lateral heterojunctions of transition metal dichalcogenides: dissipative quantum transport modeling},
author = {Giuseppe Lovarelli and Fabrizio Mazziotti and Demetrio Logoteta and Giuseppe Iannaccone},
journal= {arXiv preprint arXiv:2311.18031},
year = {2024}
}
备注
6 pages, 5 figures