具有低肖特基势垒高度铁磁金属接触的 monolayer MoS2 场效应晶体管
应用物理
2019-11-22 v1 材料科学
摘要
二维MoS2因其奇异性质而成为纳米电子学与自旋电子学中有前景的材料。然而，金属-半导体MoS2界面处的高接触电阻仍是一个未解决问题。在此，我们报道了以单层MoS2沟道和坡莫合金(Py)作为铁磁(FM)金属接触件的场效应晶体管器件的电子性质。单层MoS2沟道通过化学气相沉积技术在SiO2/Si衬底上直接生长。电流随背栅电压的增加显示了FET特性的可调性。估计得到的Py/MoS2接触的肖特基势垒高度(SBH)为零偏置下的+28.8 meV，这是迄今为止任何直接金属(磁性或非磁性)/单层MoS2接触报道的最小值。施加栅电压(+10 V)时，SBH急剧降低至-6.8 meV。负SBH揭示了Py/MoS2接触的欧姆行为。具有受控欧姆特性的FM接触的低SBH是基于MoS2的自旋电子学的主要要求，因此本研究中直接使用生长的单层MoS2沟道可为面向大规模应用的高性能器件铺平道路。
引用
@article{arxiv.1909.06014,
title = {Monolayer MoS2 field effect transistor with low Schottky barrier height with ferromagnetic metal contacts},
author = {Sachin Gupta and F. Rortais and R. Ohshima and Y. Ando and T. Endo and Y. Miyata and M. Shiraishi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1909.06014},
year = {2019}
}
备注
16 pages, 4 figures, 1 table and Supplementary Materials