具有 Graphene/Metal 异质接触的 MoS2 场效应晶体管
材料科学
2014-05-13 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
首次制备了以 graphene/Ti 为异质接触的 n 型少层 MoS2 场效应晶体管，在 1 m 栅长下显示出超过 160 mA/mm 的漏电流，开关电流比达 107。与无 graphene 接触层的 MoS2 FET 相比，异质接触在导通电阻上实现了近 2.1 倍的改善，在接触电阻上实现了 3.3 倍的改善，证实了其增强的电气特性。此外还进行了 MoS2/graphene 异质接触的温度依赖性研究，依然揭示了其 Schottky 接触性质。引入了传输长度法和一种设计的 I-V 法，以研究 MoS2/graphene/metal 异质接触结构中的接触电阻和 Schottky 势垒高度。
引用
@article{arxiv.1403.5485,
title = {MoS2 Field-effect Transistors with Graphene/Metal Heterocontacts},
author = {Yuchen Du and Lingming Yang and Jingyun Zhang and Han Liu and Kausik Majumdar and Paul D. Kirsch and Peide D. Ye},
journal= {arXiv preprint arXiv:1403.5485},
year = {2014}
}