用于横向异质结 MoS₂ 场效应晶体管的 CVD 石墨烯接触

Daniel S. Schneider; Leonardo Lucchesi; Eros Reato; Zhenyu Wang; Agata Piacentini; Jens Bolten; Damiano Marian; Enrique G. Marin; Aleksandra Radenovic; Zhenxing Wang; Gianluca Fiori; Andras Kis; Giuseppe Iannaccone; Daniel Neumaier; Max C. Lemme

doi:10.1038/s41699-024-00471-y

用于横向异质结 MoS₂ 场效应晶体管的 CVD 石墨烯接触

介观与纳米尺度物理 2024-06-24 v2 应用物理

作者: Daniel S. Schneider , Leonardo Lucchesi , Eros Reato , Zhenyu Wang , Agata Piacentini , Jens Bolten , Damiano Marian , Enrique G. Marin , Aleksandra Radenovic , Zhenxing Wang , Gianluca Fiori , Andras Kis , Giuseppe Iannaccone , Daniel Neumaier , Max C. Lemme

在 arXiv 上查看 ↗ PDF ↗ DOI ↗

摘要

针对用于集成电路的高性能晶体管，人们对二维材料尤其是二硫化钼进行了深入研究。由于高肖特基势垒严重限制晶体管性能，制造具有欧姆接触的晶体管颇具挑战。基于石墨烯的异质结构可用作不合适金属的补充或替代。我们展示了由可扩展的化学气相沉积二硫化钼与化学气相沉积石墨烯构成的横向异质结构晶体管，其接触电阻约为 9 kΩ·μm，开关电流比高达 10⁸。我们还提出了一个基于实验标定的理论模型，显示出晶体管与接触区域进一步缩放到几纳米范围的潜力，以及通过层优化实现性能大幅增强的可能性，这将使晶体管有望用于未来逻辑电路。

关键词

CVD 石墨烯二硫化钼横向异质结场效应晶体管欧姆接触接触电阻

引用

@article{arxiv.2304.01177,
  title  = {CVD Graphene Contacts for Lateral Heterostructure MoS${_2}$ Field Effect Transistors},
  author = {Daniel S. Schneider and Leonardo Lucchesi and Eros Reato and Zhenyu Wang and Agata Piacentini and Jens Bolten and Damiano Marian and Enrique G. Marin and Aleksandra Radenovic and Zhenxing Wang and Gianluca Fiori and Andras Kis and Giuseppe Iannaccone and Daniel Neumaier and Max C. Lemme},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2304.01177},
  year   = {2024}
}

备注

39 pages

用于横向异质结 MoS₂ 场效应晶体管的 CVD 石墨烯接触

摘要

关键词

引用

备注

相关论文