低电阻2D/2D欧姆接触：实现高性能WSe2、MoS2和MoSe2晶体管的通用方法
介观与纳米尺度物理
2016-02-05 v1 材料科学
摘要
我们报道了一种用于制备多种过渡金属硫族化物（TMDs）的2D/2D低电阻欧姆接触的新策略，该策略利用取代掺杂的TMDs作为漏/源接触，以及无有意掺杂的TMDs作为沟道材料，通过范德瓦耳斯组装实现。我们证明，具有2D/2D接触的少层WSe2场效应晶体管（FETs）表现出约 0.3 k ohm.um 的低接触电阻、高达 > 109 的高开关比以及超过 320 uA um-1 的高驱动电流。这些有利特性与室温下约 2x102 cm2 V-1 s-1 的双端场效应空穴迁移率相结合，该迁移率在低温下升高至 >2x103 cm2 V-1 s-1。我们在具有2D/2D漏和源接触的MoS2和MoSe2 FETs中也观察到类似性能。本文提出的2D/2D低电阻欧姆接触代表了一种新器件范式，克服了TMDs及种类繁多的其他2D材料作为后硅电子学沟道材料性能方面的重大瓶颈。
引用
@article{arxiv.1602.01790,
title = {Low-Resistance 2D/2D Ohmic Contacts: A Universal Approach to High-Performance WSe2, MoS2, and MoSe2 Transistors},
author = {Hsun-Jen Chuang and Bhim Chamlagain and Michael Koehler and Meeghage Madusanka Perera and Jiaqiang Yan and David Mandrus and David Tomanek and Zhixian Zhou},
journal= {arXiv preprint arXiv:1602.01790},
year = {2016}
}
备注
23 pages, 4 figures, Nano Lett. Accepted