过渡金属二硫属化物量子输运的通用低温欧姆接触
材料科学
2016-04-25 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
低载流子迁移率和高电学接触电阻是阻碍在TMDCs中探索量子输运的两个主要障碍。在此，我们展示了一种基于选择性刻蚀和常规电子束蒸发金属电极，在氮化硼封装的TMDC器件中建立低温欧姆接触的有效方法。该方法适用于近年来最广泛研究的TMDCs，包括 MoS2、MoSe2、WSe2、WS2 和 2H-MoTe2。在 2 K 下实现了低电学接触电阻。所有研究的少数层TMDC器件均表现出优异性能，场效应迁移率显著改善，范围从 2300 cm2/V s 到 16000 cm2/V s，这由霍尔效应测量提取的高载流子迁移率所证实。此外，仅通过使用适当的接触金属即可实现高迁移率的n型和p型TMDC沟道。在这些高质量TMDC器件中观察并研究了显著的舒布尼科夫-德哈斯振荡。
引用
@article{arxiv.1503.08427,
title = {Universal low-temperature Ohmic contacts for quantum transport in transition metal dichalcogenides},
author = {Shuigang Xu and Zefei Wu and Huanhuan Lu and Yu Han and Gen Long and Xiaolong Chen and Tianyi Han and Weiguang Ye and Yingying Wu and Jiangxiazi Lin and Junying Shen and Yuan Cai and Yuheng He and Fan Zhang and Rolf Lortz and Chun Cheng and Ning Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.08427},
year = {2016}
}
备注
The methods have been applied to p-type WSe2 and other TMDC based devices. Supplementary information is included