通过铟合金接触实现高效载流子注入的二维 WS$_2$ 中的量子输运
材料科学
2021-02-05 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
二维过渡金属硫族化合物（TMDCs）具有对光电子和量子应用有吸引力的性质。器件的一个关键要素是金属-半导体界面。然而，高接触电阻阻碍了进展。由于低温下低质量接触难以处理，量子输运研究很少。本文中，对采用铟合金接触的化学气相沉积生长的单层和双层 WS 器件进行了温度依赖的传输长度测量。这些器件表现出低接触电阻和肖特基势垒高度（在 3 K 下为 \sim10 k\si{\micro\metre}，1.7 meV）。高效载流子注入实现了高载流子迁移率（190 cmVs）并观测到共振隧穿。密度泛函理论计算提供了对 WS-铟界面的量子输运和性质的见解。我们的结果揭示了在使用铟合金接触的面向高性能 WS 器件方面取得的显著进展。
引用
@article{arxiv.2102.02489,
title = {Quantum Transport in Two-Dimensional WS$_2$ with High-Efficiency Carrier Injection Through Indium Alloy Contacts},
author = {Chit Siong Lau and Jing Yee Chee and Yee Sin Ang and Shi Wun Tong and Liemao Cao and Zi-En Ooi and Tong Wang and Lay Kee Ang and Yan Wang and Manish Chhowalla and Kuan Eng Johnson Goh},
journal= {arXiv preprint arXiv:2102.02489},
year = {2021}
}
备注
5 Figures