从量子关联到散射容错的 2D 晶体管中的热载流子传输交叉

量子关联和热载流子传输代表着电子导电的两个根本不同的 regimes，较少在同一器件中实现。本文报道了一种基于铁电基板的单层过渡金属硫化物晶体管架构，通过利用强介电屏蔽和平面栅控实现了这一交叉。在低温下，器件表现出可重复的准周期电流波动，符合由低载流子密度下电子-电子相互作用所产生的涌现势能景观。随着温度升高，这一相关势能轮廓随之热解，输运由横向栅场驱动，载流子拥有较高动能。这些热载流子能够有效地克服散射事件，在室温下实现约4800 cm^2/Vs 的高电子迁移率以及最高漂移电流约0.5 mA/{\mu}m，超越了传统 FET 在关键性能指标上的表现。这些发现为探测中间介观秩序，同时推进可扩展 2D 晶体管的性能极限提供了统一方法。