准二维和准一维电子系统中的扩散输运
介观与纳米尺度物理
2009-08-14 v1 无序系统与神经网络
材料科学
摘要
量子限制半导体结构是现代电子学的基石。这些结构中的空间限制导致离散低维子能带的形成。在室温下，由于与声子、带电杂质、表面粗糙度和其他电子的有效散射，载流子在不同状态之间转移，因此输运是散射限制的（扩散的），并且可以用玻尔兹曼输运方程很好地描述。在这篇综述中，我们提出了用于描述和模拟准二维和准一维半导体结构中扩散电子输运的理论框架。详细介绍了硅 MOSFETs 和纳米线中的输运。
引用
@article{arxiv.0811.1937,
title = {Diffusive Transport in Quasi-2D and Quasi-1D Electron Systems},
author = {I. Knezevic and E. B. Ramayya and D. Vasileska and S. M. Goodnick},
journal= {arXiv preprint arXiv:0811.1937},
year = {2009}
}
备注
Review article, to appear in Journal of Computational and Theoretical Nanoscience