纳米硅绝缘体金属-氧化物-半导体器件中的量子输运
介观与纳米尺度物理
2009-11-10 v1
摘要
发展了一种确定纳米尺寸硅绝缘体 (SOI) 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 (MOSFET) 电流的方法。从量子 Liouville 方程的 Wigner 函数表示数值求解中提取出电子输运的量子力学特征。考虑电子因离子杂质、声子和界面 Si/SiO2 表面粗糙度而产生的散射，随通道长度得到器件特性。从 Wigner 函数分布中自然发现扩散输运与球性输运的共存。证明散生机制会减小输运的球性分量。球性分量随通道长度减小而增大。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0308485,
title = {Quantum Transport in a Nanosize Silicon-on-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor},
author = {M. D. Croitoru and V. N. Gladilin and V. M. Fomin and J. T. Devreese and W. Magnus and W. Schoenmaker and B. Soree},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0308485},
year = {2009}
}
备注
21 pages, 8 figures, E-mail addresses: [email protected]