圆柱形纳米硅基 MOSFET 中的量子输运
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
为详细研究圆柱形纳米 MOSFET 中的电流流动，建立了一个模型，该器件具有靠近栅极电极。横向电荷输运的量子力学特征由 Wigner 分布函数描述，该函数明确处理了由声学声子和受主杂质引起的电子散射。进行了数值模拟以获得不同沟道长度的一组 I-V 特性。结果表明，在低源漏电压下，数值模拟中纳入碰撞项是重要的。计算进一步表明，散射导致沟道中电子密度增加，从而平滑了 I-V 特性中的阈值拐点。对电子相空间分布的分析表明，散射并不会阻止电子以窄束形式流过沟道，弹道输运和扩散输运的特征可以同时被观察到。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0004009,
title = {Quantum transport in the cylindrical nanosize silicon-based MOSFET},
author = {S. N. Balaban and E. P. Pokatilov and V. M. Fomin and V. N. Gladilin and J. T. Devreese and W. Magnus and W. Schoenmaker and M. Van Rossum and B. Soree},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0004009},
year = {2007}
}
备注
24 pages, 8 figures, E-mail addresses: [email protected], [email protected]