纳米规模双栅MOSFET中的球面传输
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v2
摘要
我们使用蒙特卡罗模拟研究了纳米规模双栅MOSFET中的散射效应。通过分析电子经历散射次数的光谱，对通道中的非平衡传输进行了分析。我们表明， drain 端的球面电子数（即便以通量计）并非球面传输的唯一相关特征。随着通道长度为15 nm的晶体管代数，驱动电流值甚至接近球面极限值，尽管并非所有电子都是球面运输的。此外，大多数反弹散射事件（会损害ON电流）发生在通道前半部分，特别是前低场区域。然而，对于任何研究到的通道长度（即小于25 nm），后半部分的贡献都不能被视为可忽略。进一步地，随着通道长度的减小，后半部分的贡献趋于更加重要。因此，在超短通道晶体管中，提取决定驱动电流I_on的通道区域变得极其困难。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0312102,
title = {On the ballistic transport in nanometer-scaled double-gate MOSFET},
author = {J. Saint Martin and A. Bournel and P. Dollfus},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0312102},
year = {2007}
}
备注
27 pages, 13 figures, submitted to IEEE Trans. Electron. Dev., corrected typos, conclusions clarified, less meaningful figures suppressed