粗糙边缘石墨烯纳米带隧道晶体管中的耗散输运
介观与纳米尺度物理
2015-06-11 v1
摘要
我们研究了石墨烯纳米带隧道场效应晶体管中的量子输运。不同于其他关于类似结构的研究，我们在非平衡输运模拟中自洽地包含了由非弹性电子 - 声子散射和纳米带边缘粗糙度引起的耗散过程。我们的结果表明，即使在直接源漏隧穿被抑制的长沟道长度下，耗散散射也对最小关态电流和最小亚阈值摆幅施加了限制。令人惊讶的是，在存在耗散散射的情况下，边缘粗糙度表现出经典行为，主要降低了该结构中可实现的最大开态电流。
引用
@article{arxiv.1209.5483,
title = {Dissipative Transport in Rough Edge Graphene Nanoribbon Tunnel Transistors},
author = {Youngki Yoon and Sayeef Salahuddin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1209.5483},
year = {2015}
}
备注
Accepted for publication in Applied Physics Letters