半导体石墨烯纳米带中的迁移率：声子、杂质及边缘粗糙度散射
材料科学
2009-11-13 v1
摘要
通过比较声子、杂质和线边缘粗糙度散射的影响，研究了半导体石墨烯纳米带中载流子的输运性质。研究发现，位于纳米带表面的杂质散射和声学声子散射与线边缘粗糙度散射同样重要。这些散射机制的相对重要性随温度、费米能级位置和纳米带宽度的变化而变化。基于该分析，描述了提高低场迁移率的策略。
引用
@article{arxiv.0807.0183,
title = {Mobility in Semiconducting Graphene Nanoribbons: Phonon, Impurity, and Edge Roughness Scattering},
author = {Tian Fang and Aniruddha Konar and Huili Xing and Debdeep Jena},
journal= {arXiv preprint arXiv:0807.0183},
year = {2009}
}
备注
7 pages, 7 figures