声子散射导致理想石墨烯纳米带中迁移率的严重退化
介观与纳米尺度物理
2015-05-27 v1
摘要
我们利用全带电子和声子色散关系，研究了扶手椅型石墨烯纳米带(GNRs)中的低场声子限制迁移率。我们表明，横向限制将GNRs的本征迁移率抑制至常见体半导体的典型值，与2D石墨烯上令人印象深刻的实验结果相差甚远。宽度为1 nm的悬浮GNRs在室温下表现出接近500 cm^2/Vs的迁移率，而如果将相同的GNRs沉积在HfO2上，由于表面声子的作用，迁移率会进一步降低至约60 cm^2/Vs。我们还展示了极化子形成的出现，导致1 nm宽的扶手椅型GNRs发生约118 meV的带隙重整化。
引用
@article{arxiv.1103.0295,
title = {Strong mobility degradation in ideal graphene nanoribbons due to phonon scattering},
author = {Alessandro Betti and Gianluca Fiori and Giuseppe Iannaccone},
journal= {arXiv preprint arXiv:1103.0295},
year = {2015}
}
备注
11 pages, 4 figures