一种在纳米MOSFET中纳入有效载流子温度的背散射模型
介观与纳米尺度物理
2015-05-27 v1
摘要
在这项工作中，我们提出了一种沟道背散射模型，该模型考虑了沟道中势能势垒顶部载流子温度的升高。此模型是对同一作者先前模型的一个扩展，先前模型强调了考虑源极接触与沟道势能势垒顶部之间部分弹道输运的重要性。载流子温度的升高正是由于高饱和电流导致的源极接触与势垒顶部之间的能量耗散。为了支持我们的讨论，我们对不同几何结构（栅长低至10纳米）、偏压和晶格温度的双栅nMOSFET进行了精确的二维全能带蒙特卡罗器件模拟，并进行了量子修正。纳入有效载流子温度对于正确处理高反型区尤为重要，而以往的背散射模型通常在此区域失效。
引用
@article{arxiv.1104.3144,
title = {A Backscattering Model Incorporating the Effective Carrier Temperature in Nano MOSFET},
author = {Gino Giusi and Giuseppe Iannaccone and Felice Crupi and Umberto Ravaioli},
journal= {arXiv preprint arXiv:1104.3144},
year = {2015}
}