短沟道MOSFET中的势垒降低与背散射提取
介观与纳米尺度物理
2011-01-04 v1
摘要
在这项工作中，我们提出了一种完全实验性的方法，利用Lundstrom背散射输运模型，在单子带近似和载流子简并条件下，提取短沟道饱和MOSFET中的势垒降低。在反演状态下工作偏置点的势垒降低知识对于器件缩放至关重要。同时，我们还获得了背散射比和饱和反演电荷的估计值。与之前基于Lundstrom模型提取输运参数的工作相比，我们的提取方法与之完全一致，而其他方法在计算饱和反演电荷时进行了许多与模型不一致的近似。所提出的实验提取方法已得到验证，并应用于器件仿真结果以及栅长低至70 nm的短沟道多晶硅/SiON栅极nMOSFET的测量。此外，我们将背散射模型扩展到二维几何结构（例如体MOSFET）。我们发现，在这种情况下，背散射由靠近硅/氧化物界面几纳米内的载流子输运主导，并且使用一维方法获得的背散射比值可能与真实的二维值显著不同。
引用
@article{arxiv.1012.5978,
title = {Barrier Lowering and Backscattering Extraction in Short-Channel MOSFETs},
author = {Gino Giusi and Giuseppe Iannaccone and Debrabata Maji and Felice Crupi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1012.5978},
year = {2011}
}