具有多个准弹道通道的场效应晶体管的类肖特基势垒表征
介观与纳米尺度物理
2022-07-12 v1
摘要
通过适用于多个一维（1D）通道的基于 Landauer-Büttiker 的提取方法（LBM），我们在不同的碳纳米管和纳米线器件技术上评估了场效应晶体管（FETs）中金属接触与多个一维准弹道通道形成的界面处的势垒高度。该提取方法给出了有效肖特基势垒高度和栅耦合系数的值，后者是器件工作于量子电容极限的指示量。这种涵盖一维电子学机制的新型基于 LBM 的方法，与不考虑此类效应的传统活化能方法进行了比较。相较于新方法，后一种方法低估了金属–通道界面的势垒高度。基于数值器件仿真结果，提出了一种基于移位栅极器件的测试结构，以提高该方法的精度。
引用
@article{arxiv.2207.04760,
title = {Schottky-like barrier characterization of field-effect transistors with multiple quasi-ballistic channels},
author = {Anibal Pacheco-Sanchez and Quim Torrent and David Jiménez},
journal= {arXiv preprint arXiv:2207.04760},
year = {2022}
}