一维弹道 Schottky 势垒晶体管的解析模型
介观与纳米尺度物理
2017-08-31 v3
摘要
基于 WKB 近似，针对具有 Schottky 势垒接触的类 MOSFET 一维弹道晶体管，我们开发了一个关于漏极电流的新解析模型。通过对 Fermi-Dirac 分布函数和透射概率进行适当的近似，获得了 Landauer 积分的解析解，这克服了现有模型的局限性，并将其适用性扩展到模拟应用所需的高偏置电压。发现转移特性和输出特性的模拟结果与 sub-10-nm CNTFET 的实验数据相一致。
引用
@article{arxiv.1703.05092,
title = {Analytical Model of One-Dimensional Ballistic Schottky-Barrier Transistors},
author = {Igor Bejenari and Michael Schroter and Martin Claus},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.05092},
year = {2017}
}
备注
8 pages, 5 figures