具有铁磁接触的 Schottky 势垒碳纳米管场效应晶体管建模
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v1 材料科学
摘要
在本研究中，我们开发了一个具有铁磁接触的 Schottky 势垒碳纳米管场效应晶体管（CNT-FET）的模型。重点放在电流-电压特性以及散粒（和热）噪声的分析上。该方法基于紧束缚模型和非平衡格林函数技术。计算表明，在室温下，CNT FET 在亚阈值区域的散粒噪声是泊松型的，而在升高的栅压和漏/源电压区域，Fano 因子显著降低。此外，输运性质强烈依赖于源和漏接触中相对磁化方向。特别是，观察到相当大的隧道磁阻，其绝对值可能超过 50%。
引用
@article{arxiv.0710.2031,
title = {Modeling a Schottky-barrier carbon nanotube field-effect transistor with ferromagnetic contacts},
author = {S. Krompiewski},
journal= {arXiv preprint arXiv:0710.2031},
year = {2009}
}
备注
8 pages, 4 figures