半导体碳纳米管与金属电极界面传输
介观与纳米尺度物理
2009-09-10 v1
摘要
我们报告了对半导体碳纳米管与金属电极之间势垒隧穿导电性的Numerical研究。在平面栅极模型中，p掺杂区与n掺杂区的非对称性主要取决于电极费米能级与碳纳米管带隙之差的大小。我们定量地表明，栅极/纳米管距离对于获得大范围的开-关比至关重要。我们解释了电流随栅极电压的弯曲现象，作为从热激活区域向隧穿区域过渡的现象。与实验结果一致良好。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0206436,
title = {Transport through the Interface between a Semiconducting Carbon Nanotube and a Metal Electrode},
author = {Takeshi Nakanishi and Adrian Bachtold and Cees Dekker},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0206436},
year = {2009}
}
备注
5 pages, to appear in Phys. Rev. B