肖特基势垒碳纳米管晶体管缩放问题的数值研究

我们使用自洽的原子尺度模拟对肖特基势垒碳纳米管晶体管进行了全面的缩放研究。我们将注意力限制在金属源/漏极附着于本征碳纳米管沟道的肖特基势垒碳纳米管场效应晶体管上。发现双极导电是器件设计中必须仔细考虑的重要因素，尤其是在栅极氧化物较薄时。由源漏隧穿施加的沟道长度缩放极限在5纳米到10纳米之间，具体取决于关态电流规格。使用大直径管会增加开态电流，但也会增加泄漏电流。我们对栅极电介质缩放的研究表明，纳米管上的电荷在阈值以上可以发挥重要作用。