利用各向异性有效质量将摩尔定律延续至 1nm 沟道
介观与纳米尺度物理
2016-08-30 v1
摘要
在过去四十年中，缩小晶体管尺寸一直是半导体行业的核心驱动力。然而，将沟道长度缩小到 10 nm 以下已变得异常困难，因为源漏之间的直接隧穿会削弱栅极控制能力、开关功能，并加剧功耗。幸运的是，近年来涌现出具有奇异特性的新型材料类别，为器件设计开辟了新途径。在此，我们展示通过使用具有各向异性有效质量的沟道材料，沟道长度可以缩小至 1 nm，并仍能在 MOSFET 和 TFET 中提供优异的开关性能。针对 TFET，我们提出了一种新颖设计，以在 TFET 的开态和关态下均利用各向异性质量的优势。作为验证，我们对基于该新设计的磷烯纳米带 MOSFET 和 TFET 进行了全带原子级量子输运模拟。
引用
@article{arxiv.1605.03979,
title = {Saving Moore's Law Down To 1nm Channels With Anisotropic Effective Mass},
author = {Hesameddin Ilatikhameneh and Tarek Ameen and Bozidar Novakovic and Yaohua Tan and Gerhard Klimeck and Rajib Rahman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1605.03979},
year = {2016}
}