具有宽带隙 $\beta$-Ga$_2$O$_3$ 纳米膜的高压场效应晶体管
介观与纳米尺度物理
2015-01-30 v1 材料科学
摘要
纳米半导体材料已被广泛研究作为晶体管沟道材料，用于实现能效高、低功耗的逻辑开关，以支持向更小尺寸缩放。而在晶体管应用的另一端，则是需要能够切换非常高电压的功率电子器件。能效功率开关的小型化可实现与各种电子系统的集成，并大幅提升能源效率。纳米技术尚未在此领域产生影响。在本工作中，我们证明了宽带隙半导体氧化镓的纳米膜可用作能够切换高电压的晶体管沟道，同时可集成在任何平台上。这些发现标志着利用纳米材料和纳米技术所学到的经验来解决该领域尚未触及的挑战迈出了一步。
引用
@article{arxiv.1310.6824,
title = {High-Voltage Field Effect Transistors with Wide-Bandgap {\beta}-Ga2O3 Nanomembranes},
author = {Wan Sik Hwang and Amit Verma and Hartwin Peelaers and Vladimir Protasenko and Sergei Rouvimov and Huili and Xing and Alan Seabaugh and Wilfried Haensch and Chris Van de Walle and Zbigniew Galazka and Martin Albrecht and Roberto Forrnari and Debdeep Jena},
journal= {arXiv preprint arXiv:1310.6824},
year = {2015}
}