用于宽禁带逻辑应用的具有陡峭亚阈值摆幅的 β-Ga₂O₃ 纳米膜负电容场效应晶体管
材料科学
2017-11-03 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们展示了具有铁电铪锆氧化物栅介质叠层的陡峭亚阈值摆幅 -GaO 纳米膜负电容场效应晶体管（NC-FET）。在室温下，正向和反向栅电压扫描均获得小于 60 mV/dec 的亚阈值摆幅，在 =0.5 V 时反向栅电压扫描最小值为 34.3 mV/dec，正向栅电压扫描最小值为 53.1 mV/dec。通过调节 -GaO 膜厚度实现了阈值电压约 0.4 V 的增强型工作。获得了小于 0.1 V 的低迟滞。具有陡峭亚阈值摆幅、低迟滞和增强型的 -GaO NC-FET 作为未来宽禁带 CMOS 逻辑应用的 nFET 候选者大有前景。
引用
@article{arxiv.1711.00824,
title = {$\beta$-Ga$_2$O$_3$ Nano-membrane Negative Capacitance Field-effect Transistor with Steep Subthreshold Slope for Wide Bandgap Logic Applications},
author = {Mengwei Si and Lingming Yang and Hong Zhou and Peide D. Ye},
journal= {arXiv preprint arXiv:1711.00824},
year = {2017}
}
备注
21 pages, 5 figures