面向高性能器件的亚 5 nm 环栅 InP 纳米线晶体管
材料科学
2023-10-18 v2
摘要
环栅（GAA）纳米线（NW）场效应晶体管（FET）由于其比传统 FinFET 架构更优的栅极控制能力，是一种极具前景的器件结构。磷化铟（InP）纳米线比硅纳米线显著更高的电子迁移率，使其特别适合高性能（HP）电子应用。在本工作中，我们进行第一性原理量子输运模拟，以研究亚 5 nm 栅长（Lg）GAA InP NW FET 的性能极限。栅长为 4 nm 的 GAA InP NW FET 在导通电流、延迟时间和功耗方面能够满足国际半导体技术路线图（ITRS）对 HP 器件的要求。我们还研究了应变对 3 nm 栅长 GAA InP NW FET 的影响。施加拉伸应变导致导通电流显著增加了超过 60%。这些结果凸显了 GAA InP NW FET 在亚 5 nm 栅长区域用于 HP 应用的潜力。
引用
@article{arxiv.2308.14045,
title = {Sub-5 nm Gate-All-Around InP Nanowire Transistors Towards High-Performance Devices},
author = {Linqiang Xu and Lianqiang Xu and Qiuhui Li and Shibo Fang and Ying Li and Ying Guo and Aili Wang and Ruge Quhe and Yee Sin Ang and Jing Lu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2308.14045},
year = {2023}
}
备注
22 pages, 7 figures