III-V族全环绕栅极纳米线MOSFET工艺技术：从3D到4D
介观与纳米尺度物理
2012-12-19 v1 材料科学
摘要
在本文中，我们首次实验演示了具有垂直堆叠InGaAs纳米线沟道和全环绕栅极架构的III-V族4D晶体管。开发并总结了实现从3D到4D结构转变的新工艺技术。InGaAs横向和垂直纳米线阵列的成功制备使MOSFET驱动电流增加了4倍。本文开发的自上而下技术为未来采用高密度III-V族纳米线的低功耗逻辑和射频晶体管开辟了一条可行路径。
引用
@article{arxiv.1212.4225,
title = {III-V Gate-all-around Nanowire MOSFET Process Technology: From 3D to 4D},
author = {J. J. Gu and X. W. Wang and J. Shao and A. T. Neal and M. J. Manfra and R. G. Gordon and P. D. Ye},
journal= {arXiv preprint arXiv:1212.4225},
year = {2012}
}