基于 InAs 纳米线的场效应晶体管的离子液体栅控
介观与纳米尺度物理
2018-10-24 v2
摘要
我们报道了一种基于单根 InAs 纳米线、由离子液体栅控的场效应晶体管的运行。液体栅控实现了非常高效的载流子调制，其跨导值是采用 SiO2/Si++ 衬底的标准背栅的三十倍。得益于这种宽范围调制，我们展示了纳米线中从半导体行为到类金属行为的受控演化。本工作提供了基于单个 III-V 族半导体纳米线的电子器件中离子液体栅控的首次系统性研究：我们认为该结构为从相变到生物电子学的一系列基础与应用研究开辟了道路。
引用
@article{arxiv.1810.09127,
title = {Ionic liquid gating of InAs nanowire-based field effect transistors},
author = {Johanna Lieb and Valeria Demontis and Daniele Ercolani and Valentina Zannier and Lucia Sorba and Shimpei Ono and Fabio Beltram and Benjamin Sacépé and Francesco Rossella},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.09127},
year = {2018}
}
备注
11 pages (abstract and bibliography included), 5 Figures