具有外延铝的InAs纳米线作为带固定隧穿势垒的单电子晶体管
介观与纳米尺度物理
2016-11-29 v4 超导电性
摘要
我们报道了利用具有外延铝的InAs纳米线制造单电子晶体管，其固定隧穿势垒由氧化铝构成。该器件表现出由邻近铝覆盖壳层诱导的硬超导能隙，并且表现为金属性单电子晶体管。与半导体器件中典型的少通道接触相反，我们的方法形成了对半导体纳米线的不透明多通道接触，从而提供了一种补充性的研究途径。此外，我们确认不需要的额外量子点可能出现在纳米线表面。在我们的器件中防止了它们的出现，并且通过在InAs和Al之间插入GaAs保护层（后者适用于标准测量方法）也得以防止。
引用
@article{arxiv.1601.01149,
title = {InAs nanowire with epitaxial aluminium as a single-electron transistor with fixed tunnel barriers},
author = {M. Taupin and E. Mannila and P. Krogstrup and V. F. Maisi and H. Nguyen and S. M. Albrecht and J. Nygard and C. M. Marcus and J. P. Pekola},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.01149},
year = {2016}
}
备注
16 pages, 6 figures, 1 table