基于超导氮化钽的正常金属 - 绝缘体 - 超导体隧道结
超导电性
2014-10-15 v1
摘要
我们报道了超导氮化钽 (TaN) 正常金属 - 绝缘体 - 超导体 (NIS) 隧道结的研制。对于绝缘势垒,我们分别使用了 AlO 和 TaO (Cu-AlO-Al-TaN 和 Cu-TaO-TaN),两种器件均表现出遵循简单单粒子隧道模型的温变电流 - 电压特性。超导能隙遵循 BCS 型温度依赖关系,使得这些器件适用于从 TaN 薄膜的超导转变温度 (约 5 K)低至约 0.5 K 范围内的灵敏测温和辐射热测量。我们还进行了数值模拟,以预测如何调节结参数从而在 1 K 以上温度实现电子冷却。
引用
@article{arxiv.1403.3507,
title = {Superconducting tantalum nitride-based normal metal-insulator-superconductor tunnel junctions},
author = {S. Chaudhuri and I. J. Maasilta},
journal= {arXiv preprint arXiv:1403.3507},
year = {2014}
}
备注
Appl. Phys. Lett. in press