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基于超导氮化钽的正常金属 - 绝缘体 - 超导体隧道结

超导电性 2014-10-15 v1

摘要

我们报道了超导氮化钽 (TaNx_{x}) 正常金属 - 绝缘体 - 超导体 (NIS) 隧道结的研制。对于绝缘势垒,我们分别使用了 AlOx_{x} 和 TaOx_{x} (Cu-AlOx_{x}-Al-TaNx_{x} 和 Cu-TaOx_{x}-TaNx_{x}),两种器件均表现出遵循简单单粒子隧道模型的温变电流 - 电压特性。超导能隙遵循 BCS 型温度依赖关系,使得这些器件适用于从 TaNx_{x} 薄膜的超导转变温度 TCT_{\text{C}}(约 5 K)低至约 0.5 K 范围内的灵敏测温和辐射热测量。我们还进行了数值模拟,以预测如何调节结参数从而在 1 K 以上温度实现电子冷却。

关键词

引用

@article{arxiv.1403.3507,
  title  = {Superconducting tantalum nitride-based normal metal-insulator-superconductor tunnel junctions},
  author = {S. Chaudhuri and I. J. Maasilta},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1403.3507},
  year   = {2014}
}

备注

Appl. Phys. Lett. in press