亚微米 Al-AlOx-Nb 隧道结的应用与非理想性
介观与纳米尺度物理
2017-08-23 v1
摘要
我们开发了一种技术，利用标准电子束抗蚀剂、角度蒸发和隧道势垒的双重氧化，制备亚微米级（0.6 μm × 0.6 μm）Al-AlOx-Nb 隧道结，从而获得高质量铌，这由测得的高临界温度 TC 7.5 K 和高能隙 1.3 meV 所证实。这些器件在 1 - 7.5 K 温度范围内显示出用于局域纳米尺度测温的巨大潜力。在亚开尔文温度下，无论有无外部磁场，均对结进行了电学表征，外部磁场用于抑制铝的超导性，从而使结进入正常金属-绝缘体-超导体（NIS）构型。我们观察到了无法用标准隧穿理论解释的过剩亚能隙电流。证据表明，势垒或 Nb/AlOx 界面的材料科学问题是其根源。
引用
@article{arxiv.1610.05903,
title = {Applications and non-idealities of submicron Al-AlOx-Nb tunnel junctions},
author = {Juhani Julin and Ilari Maasilta},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.05903},
year = {2017}
}