MgB2/AlOx/MgB2 隧道结的制备与性能
超导电性
2007-05-23 v1
摘要
我们利用分子束沉积制备的生长 MgB2 薄膜，制造了 Sandwich 型 MgB2 Josephson 隧道结 (MgB2/AlOx/MgB2)。该结件表现出显著的超导电流和明确的超导能隙 (D=2.2~2.3mV)。所测得的超导能隙电压 (D) 与多能隙情形中较小的能隙值良好一致。IcRN 乘积在 4.2K 时为 0.4-1.3 mV，但在 50 mK 时接近 2.0 mV。Ic 远离 Ambegaokar-Baratoff 公式，温度依赖性异常：其随温度快速下降，并在 T=20 K 以上消失，这远低于能隙关闭温度。我们利用横截面电子显微镜检查了 AlOx 与 MgB2 之间的界面晶体结构，以阐明隧道结的若干问题。结果显示，在 AlOx 阻挡层与上层 MgB2 之间存在数纳米厚的粗糙晶体 MgB2 层和/或非晶 Mg-B 复合层。粗糙晶体上层 Mg-B 似乎表现为常规金属或劣化超导体，可能是本 MgB2/AlOx/MgB2 结件所有非理想性质的主要原因。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0601684,
title = {Fabrication and properties of MgB2/AlOx/MgB2 tunnel junctions},
author = {K. Ueda and S. Saito and K. Semba and T. Makimoto and M. Naito},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0601684},
year = {2007}
}
备注
16 pages, 8 figures, 1 table