Nb/Al2O3/Al/MgB2薄膜异构结构中的约瑟夫森效应与隧道光谱

G. Carapella; N. Martucciello; G. Costabile; C. Ferdeghini; V. Ferrando; G. Grassano

Nb/Al2O3/Al/MgB2薄膜异构结构中的约瑟夫森效应与隧道光谱

超导电性 2007-05-23 v1 软凝聚态物质

作者: G. Carapella , N. Martucciello , G. Costabile , C. Ferdeghini , V. Ferrando , G. Grassano

摘要

我们报告了在Nb/Al2O3/Al/MgB2薄膜异构结构上实现了直流和交流约瑟夫森效应，以及隧道光谱测量。直流约瑟夫森效应的数据表明，两种特征临界电流可能与MgB2薄膜中两个能隙的存在有关。隧道光谱测量确认了这一两种能隙情形，并通过两种不同dirty limit和clean limit区域的隧道来解释，这反映了两种不同的序参幅值。两种能隙的行为与最近提出的多能隙理论的预测相符良好。

关键词

约瑟夫森效应隧道光谱 MgB2 临界电流两种能隙情形

引用

@article{arxiv.cond-mat/0108212,
  title  = {Josephson effect and tunneling spectroscopy in Nb/Al2O3/Al/MgB2 thin films junctions},
  author = {G. Carapella and N. Martucciello and G. Costabile and C. Ferdeghini and V. Ferrando and G. Grassano},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0108212},
  year   = {2007}
}

备注

4 pages, 4 figures

Nb/Al2O3/Al/MgB2薄膜异构结构中的约瑟夫森效应与隧道光谱

摘要

关键词

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