MgB2 能隙由扫描隧道光谱确定
超导电性
2007-05-23 v2
摘要
我们报告了对陶瓷 MgB2 和轴向取向的等向性 MgB2 薄膜的隧道光谱 (STS) 测量。两种样品均显示出随温度变化的零偏置电导峰，以及两个超导能隙的证据。我们报告了对超导体-绝缘体-超导体 (S-I-S) 隧道结的测量，这些结以两种方式形成，除去常规金属-绝缘体-超导体 (N-I-S) 隧道结。我们发现能隙 δ=2.3-2.8 meV，具有与 S-I-S 隧道结类型一致的谱系特征和温度依赖性。此外，我们观察到第二个更大能隙 δ=7.2 meV 的证据，与提出的两带模型一致。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0212194,
title = {MgB2 Energy Gap Determination by Scanning Tunneling Spectroscopy},
author = {T. W. Heitmann and S. D. Bu and D. M. Kim and J. H. Choi and J. Giencke and C. B. Eom and K. A. Regan and N. Rogado and M. A. Hayward and T. He and J. S. Slusky and P. Khalifah and M. Haas and R. J. Cava and D. C Larbalestier and M. S. Rzchowski},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0212194},
year = {2007}
}
备注
24 pages, 8 figures Text changes and corrected fits in figures Submitted to Superconductor Science and Technology