MgB2 安德鲁斯反射的温度与接触类型依赖性
超导电性
2009-11-07 v1
摘要
我们研究了正常金属-MgB2 接触电导的电压和温度依赖性，这些接触通过点接触技术（使用 Au 和 Pt 触头）或在高质量单晶-like MgB2 样品表面制作 Ag-画笔 spots 获得。与广义 BTK 模型拟合电导曲线提供了纯 s 波隧穿对称性的证据。Ag-画笔接触（dirty 极限）中测得的能隙温度依赖性遵循标准 BCS 曲线，2Delta/kTc=3.3。在垂直方向、高压点接触中，我们获得了几乎理想的安德鲁斯反射特征，显示出单个小 s 波能隙 Delta = 2.6 ± 0.2（clean 极限）。这些结果支持两种能隙超导性模型、晶体表面存在修正层以及 MgB2 中重要且非常规的杂质作用。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0107239,
title = {Temperature and junction-type dependency of Andreev reflection in MgB2},
author = {R. S. Gonnelli and A. Calzolari and D. Daghero and G. A. Ummarino and V. A. Stepanov and P. Fino and G. Giunchi and S. Ceresara and G. Ripamonti},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0107239},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 4 eps figures, SNS 2001 conference