c轴取向 MgB$_2$ 薄膜中能隙分布的点接触研究

我们对与c轴取向 MgB$_2$ 薄膜和银之间形成的约100个电压依赖微观阻抗 dV/dI(V) 曲线进行分析，这些曲线显示出与超导能隙相关的明显安德烈亚反射特征。约有一半的曲线表现出第二个较大能隙的存在。双能隙分布的直方图显示，在2.4和7 meV处分别存在明显的峰值，而单能隙特征的曲线则在3.5 meV处呈现更宽的峰值。双能隙分布与H. J. Choi等人（cond-mat/0111183）在费米面上计算的能隙值分布定性上一致。数据明确显示 MgB$_2$中存在两个能隙 $\Delta_{S}=2.45\pm 0.15$ meV 和 $\Delta_{L}=7.0\pm 0.45$ meV，能隙比为 $2.85\pm 0.15$。我们的观察进一步证明了 MgB$_2$的多能隙情形，即在洁净极限中可见两个独立能隙，而在脏极限中则只出现单个平均能隙。