在 MgB2/Ag 和 MgB2/In 结上获得的 MgB2 超导能隙参数
超导电性
2009-11-07 v2
摘要
本文使用临界温度 Tc 接近 40 K 的 MgB2 超导线制备了 MgB2/Ag 和 MgB2/In 结。N-S 结的微分电导-电压特性表现出明显的 Andreev 反射贡献。利用针对 s 波超导体的改进 BTK 理论，从温度依赖关系中确定了两个序参量 4 meV 和 2.6 meV。令人惊讶的是，较大的序参量在更低的温度 ~20 K 下消失，而较小的序参量的临界温度 Tc 为 38 K。两个序参量的大小及其临界温度均与 Liu 等人对 MgB 中电子-声子耦合的理论计算吻合良好。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0104038,
title = {Superconducting gap parameters of MgB2 obtained on MgB2/Ag and MgB2/In junctions},
author = {A. Plecenik and S. Benacka and P. Kus and M. Grajcar},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0104038},
year = {2009}
}
备注
revised manuscript