MgB2 单晶的各向异性超导性质
超导电性
2009-11-07 v1
摘要
我们测量了在 4-6 GPa 高压、1400-1700°C 高温下在 Mg-B-N 体系中生长的 MgB2 单晶的平面电阻。对于所有样品，我们发现约 38.1-38.3K 时有尖锐的超导临界，过渡宽度在 0.2-0.3K 之间。40K 时的电阻率约为 1 mΩ·cm，电阻率比 R(273K)/R(40K) 约为 4.9。在施加最高 5.5T 的磁场（垂直于 Mg 与 B 平面）和最高 9T 的磁场（平行于 Mg 与 B 平面）时，测得温度相关的各向异性上临界场，其各向异性比从 Tc 附近的 2.2 增至约 30K 以下的 3。还发现 Hc2 的角度依赖性与各向异性质量模型有显著偏离。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0202133,
title = {Anisotropic Superconducting Properties of MgB2 Single Crystals},
author = {Yu. Eltsev and S. Lee and K. Nakao and N. Chikumoto and S. Tajima and N. Koshizuka and M. Murakami},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0202133},
year = {2009}
}
备注
10pages, including 5 figures,submitted to Physica C (in press)